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李在镕:三星计划利用世界上第一个3纳米工艺制造芯片

1月2日消息,据外媒报道,周四,三星电子事实上的领导者李在镕(Lee Jae-yong)开始大谈该公司利用世界上第一个3纳米工艺技术制造尖端芯片的战略计划。

李在镕参观了该公司位于京畿道华城的半导体研发中心。据三星公司称,这位三星继承人称,该公司计划采用正在开发的最新3纳米全栅极(gate-all-around,简称GAA)工艺技术来制造尖端芯片,并提供给全球客户。

GAA被认为是当前FinFET技术的升级版,该技术使芯片制造商能够进一步提高微芯片的制造工艺。

三星在去年4月完成了基于极端紫外线技术的5纳米FinFET工艺技术的开发。目前,它正在研究下一代纳米工艺技术。

该公司表示,与5纳米工艺相比,3纳米GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了约30%。

“李在镕访问半导体研发中心,再次凸显了三星要成长为非内存领域顶级芯片制造商的决心。”三星发言人称。

去年,三星宣布了一项高达133万亿韩元(约合1118.5亿美元)的投资计划,目标是到2030年成为全球最大的芯片系统制造商。

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